A Secretaria de Desenvolvimento Industrial, Inovação, Comércio e Serviços do Ministério do Desenvolvimento, Indústria, Comércio e Serviços, de acordo com os artigos 8º e 9º da Portaria Interministerial SEPEC-ME/MCTIC nº 56, de 03 de maio de 2024, torna pública a proposta de alteração do Processo Produtivo Básico - PPB de COMPONENTES SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS, COMPONENTES A FILME ESPESSO OU A FILME FINO e MÓDULOS DE MEMÓRIA VOLÁTIL PADRONIZADOS, industrializados no País e na Zona Franca de Manaus

O texto completo está disponível no sítio da Secretaria, no endereço: https://www.gov.br/mdic/pt-br/assuntos/competitividade-industrial/processo-produtivo-basico-ppb/novo-portal/consultas-publicas

As manifestações deverão ser encaminhadas no prazo máximo de 15 (quinze) dias, a contar da data de publicação desta Consulta no Diário Oficial da União, a todos os seguintes e-mails: cgel.ppb@mdic.gov.br, cgia@mcti.gov.br, cgtd@mcti.gov.br e cgpri.ppb@suframa.gov.br.

UALLACE MOREIRA LIMA

Secretário

ANEXO

PROPOSTA Nº 60/2024 - ALTERAÇÃO DO PROCESSO PRODUTIVO BÁSICO PARA COMPONENTES SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS, COMPONENTES A FILME ESPESSO OU A FILME FINO e MÓDULOS DE MEMÓRIA VOLÁTIL PADRONIZADOS, INDUSTRIALIZADOS NO PAÍS E NA ZONA FRANCA DE MANAUS, ESTABELECIDO PELAS PORTARIAS INTERMINISTERIAIS SEPEC/ME/SEXEC/MCTI Nº 5.707 E Nº 5.708, DE 8 DE JUNHO DE 2021, RESPECTIVAMENTE.

OBS: Introduz novos art. 5º e 6º mantendo-se, renumerando-se e ajustando-se o que for necessário nos demais artigos. Os §§ 7º e 8º do art. 5º valem somente para a versão de minuta de portaria referente à legislação da Zona Franca de Manaus.

Art. 5º O Processo Produtivo Básico aplicável ao produto denominado MÓDULO DE MEMÓRIA VOLÁTIL, PADRONIZADO, DO TIPO CAMM (Compression Attached Memory Module), LPCAMM (LowPower Compression Attached Memory Module), CAMM2, LPCAMM2, e suas versões subsequentes, passa a ser o seguinte:

I - corte da lâmina (wafer);

II - montagem e fixação da pastilha não encapsulada (die);

III - soldagem dos fios ou dos contatos de solda no substrato;

IV - moldagem ou encapsulamento da pastilha montada;

V - corte ou fixação de esferas para componentes com encapsulamento BGA (Ball Grid Array) ou FBGA (Fine Ball Grid Array), quando aplicável;

VI - estanhagem e dobra para componentes com encapsulamento TSOP (Thin Small-Outline Packages) ou similar, quando aplicável;

VII - corte ou singularização, quando aplicável;

VIII - testes (ensaios) elétricos, funcionais e de caracterização;

IX - marcação (identificação);

X - montagem e soldagem dos componentes na placa de circuito impresso;

XI - gravação da memória do tipo Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory - EEPROM ou do circuito integrado controlador, quando aplicável; e

XII - testes elétricos, funcionais e etiquetagem para identificação dos módulos, quando aplicável.

§ 1º As etapas constantes dos incisos I a XI deste artigo poderão ser dispensadas em até 2% (dois por cento) do total de MÓDULOS DE MEMÓRIA VOLÁTIL, PADRONIZADOS, DO TIPO CAMM (Compression Attached Memory Module), LPCAMM (Low-Power Compression Attached Memory Module), CAMM2, LPCAMM2, e suas versões subsequentes, produzidos conforme o PPB no ano-calendário.

§ 2º Para circuitos integrados monolíticos utilizados nos módulos de memórias, a que se refere o caput deste artigo, do tipo memória de acesso aleatório (Random Access Memory - RAM) do tipo Double Data Rate de quinta geração ou superior (DDR5) ou Double Data Rate de baixo consumo de energia de quinta geração ou superior (LPDDR5), poderá ser dispensado o cumprimento das etapas descritas nos incisos de I a IX deste artigo, de acordo com os percentuais e cronograma abaixo, em relação ao total desses circuitos integrados produzidos no ano-calendário:

I - 2025 a 2027: 100% (cem por cento);

II - 2028: 80% (oitenta por cento);

III - 2029: 50% (cinquenta por cento); e

IV - 2030 em diante: 20% (vinte por cento).

§ 3º Caso os percentuais obrigatórios e complementares aos citados nos §§ 1º e 2º deste artigo não sejam alcançados, a empresa ficará obrigada a cumprir a diferença residual em relação ao percentual mínimo estabelecido, em unidades produzidas, até 31 de dezembro do ano imediatamente subsequente, sem prejuízo das obrigações correntes.

§ 4º A diferença residual a que se refere o § 3º deste artigo não poderá exceder a 10% (dez por cento), tomando-se por base a produção do ano em que não foi possível atingir o limite estabelecido.

§ 5º As etapas constantes dos incisos de I a IX deste artigo não se aplicam às memórias do tipo EEPROM, EPROM, ROM, PROM e Flash RAM ou ao circuito integrado controlador.

§ 6º As atividades ou operações inerentes às etapas de produção de MÓDULOS DE MEMÓRIA VOLÁTIL, PADRONIZADOS, DO TIPO CAMM (Compression Attached Memory Module), LPCAMM (LowPower Compression Attached Memory Module), CAMM2, LPCAMM2, e suas versões subsequentes poderão ser realizadas por terceiros, exceto as etapas constantes dos incisos X, XI e XII deste artigo, que não poderão ser objeto de terceirização.

§ 7º As etapas constantes dos incisos X, XI e XII deste artigo deverão ser realizadas na Zona Franca de Manaus, podendo as demais serem realizadas em outras regiões do País.

§ 8º As atividades ou operações inerentes às etapas de produção poderão ser realizadas por terceiros, desde que obedecido o Processo Produtivo Básico, exceto as etapas descrita no incisos X, XI e XII deste artigo, que não poderão ser objeto de terceirização.

Art. 6º Os requisitos previstos nos arts. 4º e 5º desta Portaria são independentes, deverão ser considerados isoladamente e não poderão ser tomados em conjunto para o cumprimento do PPB, seja para fins de apuração do atingimento dos percentuais mínimos estabelecidos para o respectivo PPB ou para a compensação de diferenças residuais compensáveis, em unidades produzidas, no ano-calendário imediatamente subsequente, observados os limites estabelecidos nesta Portaria.